2019年4月8日下午，中国科学院大学物理科学学院研究员、长聘教授周武应邀到昆明理工大学开展学术交流，并为材料科学与工程学院师生作了题为“低电压电镜在二维半导体材料研究中的应用”的学术报告。
周教授从材料科学基本的结构性质之间的关系说明探索原子结构的重要性。二维材料的结构缺陷和物理性质之间的内在联系是当前二维材料研究中的基本科学问题之一。球差校正电镜技术的发展已经使得低电压扫描透射电子显微镜（STEM）能够在原子分辨率及单原子分析灵敏度上对材料进行成像及能谱分析，为在原子尺度研究二维材料的缺陷物理提供了新的分析手段。周教授介绍近几年利用低电压球差校正STEM在二维半导体材料研究中所获得的新进展，包括利用STEM图像来定量测量二维半导体内化学掺杂浓度及掺杂原子的空间分布，探索新型二维半导体量子阱超晶格结构的形成机制，利用电子束在二维半导体材料内可控制备新型纳米结构，以及探索在纳米尺度利用单色电子能量损失谱对二维材料在红外光区的吸收特性进行实验测量。
报告结束后，周教授和在场师生进行了热烈讨论。包括实验上的样品的制备方法，以及现今流行的材料测试分析手段，扫描隧道电子显微镜，透射电镜，冷冻电镜之间的区别与联系，最后还和我院师生分享了科研的心路历程。
报告人简介：周武，现为中国科学院大学物理科学学院研究员、长聘教授。2006年清华大学本科毕业，2010年获美国理海大学材料科学博士学位，曾任美国橡树岭国家实验室研究员。先后获得美国橡树岭国家实验室Eugene Wigner Fellowship，中科院百人计划，自然科学基金委优秀青年基金等支持。长期从事低电压球差校正扫描透射电子显微学及功能纳米材料研究。主要研究的材料体系包括二维材料，异相催化剂，以及电池材料等。在Nature，Nature子刊，PRL等学术期刊上发表论文100余篇，SCI引用一万余次。
