首页> 学院新闻> 正文
邱建备教授团队:陈智教授课题组在“单晶中低损耗可变截面Type-I型无源/有源光波导集成器件的三维激光直写”取得重要进展
发布日期:2024年09月02日 浏览次数:

硅基电子芯片的发展逐渐逼近摩尔定律的极限,而光子集成芯片被认为是最有可能实现换道超车的替代方案。光子集成芯片由成千上万个有源、无源光子元器件组成,而光波导在这些光子元器件中扮演重要角色。近年来,在铌酸铌等单晶体中制备高性能无源/有源光波导器件引起了国际上学术界和产业界的广泛关注,这是由于单晶体在可见到近中红外波段的光学损耗低、热导好、机械性能好,损伤阈值高、允许高浓度稀土离子掺杂、掺杂增益晶体发射截面大等方面优势突出。以往主要采用金属离子扩散、交换、注入和光刻等手段在单晶体中制备光波导器件。但是,这些方案不仅复杂、低效,而且条件苛刻、耗费高昂、不能制备3D器件。飞秒激光直写技术提供了一种高效、非接触式的3D光波导器件制备策略。截至目前,飞秒激光在单晶体中只能直写Type-II型光波导器件。并且依然存在很多问题,包括:激光诱导局域存在微裂纹、球差效应影响明显、波导损耗依旧很大、且难以对波导的形状、尺寸、模场和折射率分布进行精准控制。而基于Type-I型正折射率变化的光波导能有效克服上述问题。但是,学术界长期存在一个争议:是否可以在单晶体中通过飞秒激光直写出type-I型正折射率变化的光波导,同时还能保持对光波导的损耗、形状、尺寸、模场和折射率分布的精准控制?

针对上述问题,陈智教授联合浙江大学邱建荣教授等团队提出,将狭缝整形技术与浸油物镜相结合,在单晶中直写低损耗的Type-I型光波导。该技术可精准控制光波导的形状、尺寸、模场和折射率分布,空间分辨率高达700 nm,正折射率变化约为10-2,为设计和制备低损耗、高增益的无源/有源光波导器件引入了新的自由度。作为实验验证,该团队成功在Er3+掺杂的YAG单晶中制备了一个7 mm长的圆形增益波导(直径~10μm),其传输损耗低至0.23 dB/cm,波导光放大净增益为~3 dB且具有偏振不敏感特性。研究还发现,该技术具有普适性,原理上适用于YAG、LuAG、LiNbO3等稀土掺杂或不掺杂的任意单晶体。相关研究成果发表于Advanced Materials上。论文的通讯作者为昆明理工大学的陈智教授、之江实验室的马志军研究员,宁波大学的钟理京助理研究员和浙江大学邱建荣教授;论文的第一作者为浙江大学陈道远博士生,共同第一作者为昆明理工大学的陈智教授。此外,意大利比萨大学Giuseppe Barillao教授、浙江大学刘小峰教授、许贝贝研究员、华南理工大学董国平教授等对该工作也作出重要贡献。

3、致谢:

感谢科技部国家重点研发计划、国家自然科学基金、浙江省自然科学基金等项目对本工作的资助。

Authors:Daoyuan Chen†, Zhi Chen†,*, Yi Yang, Yuying Wang, Xuhu Han, Kuen Yao Lau, Zhemin Wu, Chen Zou, Yu Zhang, Beibei Xu, Xiaofeng Liu, Zhijun Ma*, Guoping Dong, Giuseppe Barillaro, Lijing Zhong*, and Jianrong Qiu*

Title:3D Laser Writing of Low-Loss Cross-Section-Variable Type-I Optical Waveguide Passive/Active Integrated Devices in Single Crystals

Published in:Advanced Materials, doi:10.1002/adma.202404493

陈智,昆明理工大学材料科学与工程学院,第三层次高层次引进人才,教授,博导。主持国基青年和面上、云南省“兴滇英才”-青年拔尖人才、浙江省重点等项目,且以科研骨干参与欧盟地平线2020、科技部“科技创新2030”、科技部国家重点研发计划、华为技术横向等项目。2017年博士毕业于华南理工大学发光材料与器件国家重点实验室,先后在美国Florida State University(2017-2018)、意大利University of Pisa(2018-2021)、之江实验室(2021-2024)担任博士后、研究助理(Research Assistant)、副研究员。研究方向:面向光子芯片制造—飞秒激光微纳加工新型有源/无源光波导器件,累计发表SCI论文60余篇,其中以一作/通讯在Adv. Mater.、Light Sci. & Appl.、Prog. Mater. Sci.、Adv. Opt. Mater.等期刊发表SCI论文30余篇。担任Nat. Commun.、Light Sci. & Appl.、Adv. Funct. Mater.等期刊的特约审稿人。曾荣获“中国硅酸盐学会优秀博士学位论文”提名奖,担任《Chip》和《激光与光电子学进展》的青年编委,以及“光电材料与器件”专委会委员。受邀在CIOP2024、LTO2024/2023、ICG2024、ICMAT2017等国际国内学术会议上做邀请/口头报告20余次。

招生简介

翻开教科书,我们为牛顿、爱因斯坦、麦克斯韦等伟人的无限的想象力和创造力所惊叹。

中国是一个具有悠久历史的文明古国,我们不应该只是追踪,跟在人家后面修修补补,我们应该对人类做出较大的贡献!

进入大学到博士后出站是人生中最具有创造力的大好时光,青春是用来折腾的,不是用来挥霍的。

愿你在大学期间折腾出一个灿烂的明天!

我们将努力为你创造你大展宏图的平台,提供你发挥聪明才智的机会。

热诚欢迎既脚踏实地,又勇于创新的青年人加入我们的行列!

本课题组诚挚欢迎参加SRTP、本科生、硕士生、博士生、博士后加入我们这个大家庭!

陈智 教授

邮箱:zhichen@zhejianglab.edu.cn

Copyright © 2024 All Rights Reserve  
昆明理工大学材料科学与工程学院 版权所有  
电话:0871-65109952  邮箱:clxyxsb@163.com  邮编:650093  
地址:云南省昆明市学府路昆明理工大学莲华校区材料楼6楼

关注公众号